12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化,能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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RθJA = 90°C/W,这是一块厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45cm2,2 盎司
(厚度 0.071mm)铜焊盘上测得的典型值(覆铜面积最大时的典型值)。RθJA = 255°C/W(覆铜面积最小时的典型值)。脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
## 应用范围
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极性 N-CH
耗散功率 1400 mW
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 3.6A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 156pF @6VVds
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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