CSD18513Q5A

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CSD18513Q5A概述

CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

表面贴装型 N 通道 40 V 124A(Tc) 96W(Tc) 8-VSONP(5x6)


得捷:
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON


立创商城:
CSD18513Q5A


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 3.4 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSONP EP T/R


CSD18513Q5A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1 W

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3300pF @20VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18513Q5A引脚图与封装图
CSD18513Q5A引脚图
CSD18513Q5A封装图
CSD18513Q5A封装焊盘图
在线购买CSD18513Q5A
型号: CSD18513Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD18513Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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