CSD18514Q5A

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CSD18514Q5A概述

CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

This 4.1-mΩ, SON 5-mm × 6-mm, 40-V NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Low RDSON
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Low-Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Logic Level
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Lead-Free Terminal Plating
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
CSD18514Q5A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1 W

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 2060pF @20VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18514Q5A引脚图与封装图
CSD18514Q5A引脚图
CSD18514Q5A封装图
CSD18514Q5A封装焊盘图
在线购买CSD18514Q5A
型号: CSD18514Q5A
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD18514Q5A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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