CSD18543Q3A

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CSD18543Q3A概述

CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

This 60-V, 8.1-mΩ, SON 3.3-mm × 3.3-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Ultra-Low Qg and Qgd
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Low RDSon
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Low-Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Lead Free
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
CSD18543Q3A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.8 W

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 885pF @30VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3 mm

高度 0.9 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18543Q3A引脚图与封装图
CSD18543Q3A引脚图
CSD18543Q3A封装图
CSD18543Q3A封装焊盘图
在线购买CSD18543Q3A
型号: CSD18543Q3A
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD18543Q3A 60V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD18543Q3A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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