CSD18510KTT

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CSD18510KTT概述

CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

This 40-V, 1.4-mΩ, D2PAK TO-263 NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Ultra-Low Qg and Qgd
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Low-Thermal Resistance
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Avalanche Rated
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Lead-Free Terminal Plating
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RoHS Compliant
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Halogen Free
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D2PAK Plastic Package
CSD18510KTT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 8870pF @20VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 9.25 mm

宽度 10.26 mm

高度 19.7 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD18510KTT引脚图与封装图
CSD18510KTT引脚图
CSD18510KTT封装图
CSD18510KTT封装焊盘图
在线购买CSD18510KTT
型号: CSD18510KTT
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD18510KTT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD18510KTT

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