CSD18543Q3AT 编带
N-Channel 60V 12A Ta, 60A Tc 66W Tc Surface Mount 8-VSON 3.3x3.3
得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
立创商城:
N沟道 60V 12A
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 9.9 mOhm
贸泽:
MOSFET 60V, N ch NexFET MOSFETG , single SON3x3, 9.9mOhm 8-VSONP -55 to 150
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 35 A, 0.0081 ohm, VSON, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 8-Pin VSONP EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 66W; VSONP8 3,3x3,3mm
针脚数 8
漏源极电阻 0.0081 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1150pF @30VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD18543Q3AT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18543Q3A 德州仪器 | 功能相似 | CSD18543Q3AT和CSD18543Q3A的区别 |