CPV364M4KPBF

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CPV364M4KPBF中文资料参数规格
技术参数

上升时间 30.0 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 1.6nF @30V

额定功率Max 63 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 13

封装 IMS-2

外形尺寸

封装 IMS-2

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CPV364M4KPBF
型号: CPV364M4KPBF
制造商: VISHAY 威世
描述:CPV364M4KPBF (短路额定IGBT超快) CPV364M4KPBF Short Circuit Rated Ultrafast IGBT

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