CBR04C429B5GAC

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CBR04C429B5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 4.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 4.2 pF, +/-0.1 pF, 50 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0402


立创商城:
4.2pF ±0.1pF 50V


得捷:
CAP CER RF 4.2PF 50V +/-0.1 PF C


贸泽:
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 4.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


CBR04C429B5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 4.2 pF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: CBR04C429B5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 4.2 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

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