CBR04C430F5GAC

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CBR04C430F5GAC概述

射频电容, C0G / NP0, 43 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]

43 pF ±1% 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


得捷:
CAP CER 43PF 50V C0G/NP0 0402


立创商城:
43pF ±1% 50V


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 43 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 43pF 50V C0G 1% Pad SMD 0402 125°C T/R


CBR04C430F5GAC中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50 V

电容 43 pF

容差 ±1 %

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

材质 C0G/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 1

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: CBR04C430F5GAC
描述:射频电容, C0G / NP0, 43 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 1%, 125 °C, 0402 [1005公制]

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