CSD18510Q5BT

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CSD18510Q5BT概述

40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150

N-Channel 40V 300A Tc 156W Tc Surface Mount 8-VSON-CLIP 5x6


得捷:
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON


立创商城:
CSD18510Q5BT


德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 0.96 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 156W; VSON-CLIP8 5x6mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


CSD18510Q5BT中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.1 W

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 8770pF @20VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

引脚数 8

封装 VSON-CLIP

外形尺寸

封装 VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CSD18510Q5BT
型号: CSD18510Q5BT
制造商: TI 德州仪器
描述:40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
替代型号CSD18510Q5BT
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CSD18510Q5BT和CSD18510Q5B的区别

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