碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30.8 A, 1.2kV, 0.075欧姆, 15 V, 2.5 V
通孔 N 通道 30A(Tc) 113.6W(Tc) TO-247-4L
得捷:
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
欧时:
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
贸泽:
MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin4+Tab TO-247 Tube
针脚数 4
漏源极电阻 0.075 Ω
耗散功率 119 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 1.2 kV
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1350pF @1000VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 119W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-247-4
高度 23.6 mm
封装 TO-247-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
制造应用 电源供给, 直流/直流转换器, 电源管理, 替代能源
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅