CSD22206W

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CSD22206W概述

-8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.5x1.5、5.7mΩ 9-DSBGA -55 to 150

表面贴装型 P 通道 8 V 5A(Ta) 1.7W(Ta) 9-DSBGA


得捷:
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA


立创商城:
CSD22206W


德州仪器TI:
-8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1.5 mm x 1.5 mm, 5.7 mOhm, gate ESD protection


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 5A 9-Pin DSBGA T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 5A 9-Pin DSBGA T/R


CSD22206W中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.7 W

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1750pF @4VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1700 mW

封装参数

引脚数 9

封装 BGA

外形尺寸

封装 BGA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CSD22206W
型号: CSD22206W
制造商: TI 德州仪器
描述:-8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.5x1.5、5.7mΩ 9-DSBGA -55 to 150

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