CSD87313DMST

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CSD87313DMST概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 30 V, 0.0055 ohm, 4.5 V, 1.2 V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 30V - 2.7W 表面贴装型 8-WSON(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON


立创商城:
CSD87313DMST


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 17 A, 0.0055 ohm, WSON, 表面安装


艾睿:
High Frequency Synchronous Power Module


TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.7W; WSON8 3x3mm


Verical:
High Frequency Synchronous Power Module


CSD87313DMST中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0055 Ω

耗散功率 2.7 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4290pF @15VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CSD87313DMST
型号: CSD87313DMST
制造商: TI 德州仪器
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 30 V, 0.0055 ohm, 4.5 V, 1.2 V

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