CSD87313DMS

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CSD87313DMS概述

30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极 SON3x3、5.5mΩ 8-WSON -55 to 150

The is a 30-V common drain, dual N-channel device designed for USB Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3-mm × 3.3-mm device has low-source-to-source on resistance that minimizes losses and offers low-component count for space constrained applications.


得捷:
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON


立创商城:
CSD87313DMS


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain SON 3 mm x 3 mm, 5.5 mOhm


贸泽:
MOSFET 30V, N ch NexFET MOSFETG , dual common drain SON3x3, 5.5mOhm 8-WSON -55 to 150


艾睿:
High Frequency Synchronous Power Module


Verical:
High Frequency Synchronous Power Module


CSD87313DMS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.7 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 4290pF @15VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WSON-8

外形尺寸

封装 WSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CSD87313DMS
型号: CSD87313DMS
制造商: TI 德州仪器
描述:30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、双路共漏极 SON3x3、5.5mΩ 8-WSON -55 to 150

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