CSD22205L

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CSD22205L概述

-8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.2x1.2、9.9mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150

This –8-V, 8.2-mΩ, 1.2-mm × 1.2-mm Land Grid Array LGA NexFET™ device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. The Land Grid Array LGA package is a silicon chip scale package with metal pads instead of solder balls.


得捷:
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR


立创商城:
CSD22205L


德州仪器TI:
-8V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection


贸泽:
MOSFET -8V, P ch NexFET MOSFETG , single LGA 1.2x1.2, 9.9mOhm 4-PICOSTAR -55 to 150


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-Pin PICOSTAR T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 8V 7.4A 4PICOSTAR / P-Channel 8 V 7.4A Ta 600mW Ta Surface Mount 4-PICOSTAR


CSD22205L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 800 mW

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1070pF @4VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

引脚数 4

封装 Picostar-4

外形尺寸

封装 Picostar-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CSD22205L
型号: CSD22205L
制造商: TI 德州仪器
描述:-8V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 1.2x1.2、9.9mΩ 4-PICOSTAR -55 to 150
替代型号CSD22205L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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德州仪器

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