CSD25310Q2T

CSD25310Q2T图片1
CSD25310Q2T概述

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 2x2、23.9mΩ 6-WSON -55 to 150

表面贴装型 P 通道 20 V 20A(Ta) 2.9W(Ta) 6-WSON(2x2)


得捷:
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON


立创商城:
CSD25310Q2T


德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R


CSD25310Q2T中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.9 W

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 504pF @10VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2900 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SON

外形尺寸

封装 SON

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CSD25310Q2T
型号: CSD25310Q2T
制造商: TI 德州仪器
描述:-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 2x2、23.9mΩ 6-WSON -55 to 150

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台