评估板, 栅极驱动器模块, 用于第三代SiC MOSFET C3M
\- 栅极驱动器 电源管理 评估板
欧时: Gate Driver Board for Gen3 SiC MOSFETs
得捷: SIC MOSFET ISOLATED GATE DRIVER
e络盟: 评估板, 栅极驱动器模块, 用于第三代SiC MOSFET C3M
艾睿: IXDN609SI Gate and Power Driver Development Board
输出接口数 1
输出电流 ≤9000 mA
输出功率 1 W
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -35 ℃
输入电压 11VDC ~ 12.5VDC
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册