DS1220AB-100+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AB-100+概述

RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM，

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

立创商城:
DS1220AB 100+

欧时:
Maxim DS1220AB-100+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装

DS1220AB-100+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 34.04 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1220AB-100+引脚图与封装图

在线购买DS1220AB-100+

型号： DS1220AB-100+

描述：RAM，Maxim Integrated ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

替代型号DS1220AB-100+