DS1225AD-150IND+

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DS1225AD-150IND+概述

RAM,Maxim Integrated

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP


欧时:
### 静态 RAM,Maxim Integrated### SRAM(静态随机存取存储器)


贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM


e络盟:
非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28


TME:
Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28


DS1225AD-150IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 5 V

针脚数 28

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 64000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AD-150IND+引脚图与封装图
DS1225AD-150IND+引脚图
DS1225AD-150IND+封装图
DS1225AD-150IND+封装焊盘图
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型号: DS1225AD-150IND+
描述:RAM,Maxim Integrated
替代型号DS1225AD-150IND+
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1225AD-150IND+

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1225Y-150IND+

美信

完全替代

DS1225AD-150IND+和DS1225Y-150IND+的区别

DS1225AD-150IND

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完全替代

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DS1225AD-150+

美信

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