RAM,Maxim Integrated
静态 RAM,
### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
欧时:
### 静态 RAM,Maxim Integrated### SRAM(静态随机存取存储器)
贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
e络盟:
非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 150ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28
TME:
Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作电压 5 V
针脚数 28
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 64000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
长度 39.37 mm
宽度 18.29 mm
高度 10.67 mm
封装 DIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 嵌入式设计与开发
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1225AD-150IND+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1225Y-150IND+ 美信 | 完全替代 | DS1225AD-150IND+和DS1225Y-150IND+的区别 |
DS1225AD-150IND 美信 | 完全替代 | DS1225AD-150IND+和DS1225AD-150IND的区别 |
DS1225AD-150+ 美信 | 类似代替 | DS1225AD-150IND+和DS1225AD-150+的区别 |