MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
非易失 RAM,
### 非易失 RAM NVRAM
NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
欧时:
Maxim DS1220AD-200+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装
立创商城:
DS1220AD 200+
贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 200 ns, EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200+ NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 200 ns
Win Source:
IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 24
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 2000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 EDIP-24
长度 34.04 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-24
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1220AD-200+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1220AD-200 美信 | 完全替代 | DS1220AD-200+和DS1220AD-200的区别 |
DS1220AD-200IND 美信 | 完全替代 | DS1220AD-200+和DS1220AD-200IND的区别 |
DS1220AB-200+ 美信 | 类似代替 | DS1220AD-200+和DS1220AB-200+的区别 |