MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM，
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IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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256KBIT NV SRAM PARALLEL 5V 200NS EDIP28
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256Kbit 4.5V~5.5V
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NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
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NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP
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# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200+ NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 200 ns
Win Source:
IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 28
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 32000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.37 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.35 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 嵌入式设计与开发, Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1230Y-200+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1230Y-200 美信 | 完全替代 | DS1230Y-200+和DS1230Y-200的区别 |
DS1230Y-100+ 美信 | 类似代替 | DS1230Y-200+和DS1230Y-100+的区别 |
DS1230Y-85+ 美信 | 类似代替 | DS1230Y-200+和DS1230Y-85+的区别 |