MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-150+ 芯片, 存储器, NVRAM
非易失 RAM，
得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
欧时:
Maxim DS1225AD-150+ 64kbit NVRAM 存储器, 4.5 → 5.5 V电源, 0 → +70 °C, 28引脚 EDIP封装
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, 150 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
TME:
Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 150ns; DIP28
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-150+ NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 150 ns
Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作电压 4.5V ~ 5.5V
针脚数 28
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 8000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1225AD-150+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1225AD-150 美信 | 完全替代 | DS1225AD-150+和DS1225AD-150的区别 |
DS1225AD-150IND+ 美信 | 类似代替 | DS1225AD-150+和DS1225AD-150IND+的区别 |
DS1225Y-150IND+ 美信 | 类似代替 | DS1225AD-150+和DS1225Y-150IND+的区别 |