RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
非易失 RAM，
得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
欧时:
### 非易失 RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
立创商城:
DS1230AB-120+
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 120 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-120+ NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 120 ns
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
针脚数 28
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 32000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1230AB-120+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1230AB-120 美信 | 完全替代 | DS1230AB-120+和DS1230AB-120的区别 |
DS1230AB-200+ 美信 | 类似代替 | DS1230AB-120+和DS1230AB-200+的区别 |
DS1230Y-120IND+ 美信 | 类似代替 | DS1230AB-120+和DS1230Y-120IND+的区别 |