MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-100+ 芯片, 存储器, NVRAM
非易失 RAM,
### 非易失 RAM NVRAM
NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
欧时:
### 非易失 RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
立创商城:
DS1230AB 100+
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8位, 100 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-100+ NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 100 ns
Win Source:
IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
针脚数 28
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 32000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1230AB-100+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1230AB-100 美信 | 完全替代 | DS1230AB-100+和DS1230AB-100的区别 |
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