DS1225AB-150+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1225AB-150+概述

RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM，

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

立创商城:
64Kbit 4.75V~5.25V

欧时:
### 非易失 RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP

DS1225AB-150+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 8000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AB-150+引脚图与封装图

在线购买DS1225AB-150+

型号： DS1225AB-150+

描述：RAM，Maxim Integrated ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

替代型号DS1225AB-150+