DS1245Y-70IND+

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DS1245Y-70IND+概述

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP


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Maxim DS1245Y-70IND+, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 32针 EDIP封装


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NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile


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非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 70 ns, EDIP


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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP


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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP


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IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP


Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32EDIP


DS1245Y-70IND+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 32

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 EDIP-32

外形尺寸

长度 44.2 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.9 mm

封装 EDIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

DS1245Y-70IND+引脚图与封装图
DS1245Y-70IND+引脚图
DS1245Y-70IND+封装焊盘图
在线购买DS1245Y-70IND+
型号: DS1245Y-70IND+
描述:MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM
替代型号DS1245Y-70IND+
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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