DS1230Y-70IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1230Y-70IND+概述

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM，

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

欧时:
Maxim DS1230Y-70IND+, 256kbit SRAM 内存芯片, 32K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装

立创商城:
256Kbit 4.5V~5.5V

Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8bit, 70 ns

Win Source:
IC NVSRAM 256KBIT 70NS 28EDIP

DS1230Y-70IND+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 28

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.37 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230Y-70IND+引脚图与封装图

在线购买DS1230Y-70IND+

型号： DS1230Y-70IND+

描述：MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM

替代型号DS1230Y-70IND+