MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-100+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM，
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
立创商城:
DS1245Y 100+
欧时:
Maxim DS1245Y-100+, 1Mbit SRAM 内存, 128K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 32针 EDIP封装
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 100 ns, EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-100+ NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 100 ns
DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32DIP
Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
频率 100 GHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 32
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 125000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 44.2 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.9 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1245Y-100+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245Y-100 美信 | 完全替代 | DS1245Y-100+和DS1245Y-100的区别 |
DS1245Y-70+ 美信 | 类似代替 | DS1245Y-100+和DS1245Y-70+的区别 |