MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-120+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM，
### SRAM（静态随机存取存储器）
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
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DS1245AB-120+, SRAM
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DS1245AB 120+
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非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 120 ns, EDIP
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NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP
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NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-120+ NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 120 ns
Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32EDIP
DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
针脚数 32
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 125000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 44.2 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.92 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1245AB-120+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245AB-120IND+ 美信 | 完全替代 | DS1245AB-120+和DS1245AB-120IND+的区别 |
DS1245AB-120 美信 | 完全替代 | DS1245AB-120+和DS1245AB-120的区别 |
DS1245AB-100+ 美信 | 类似代替 | DS1245AB-120+和DS1245AB-100+的区别 |