MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM，
得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
欧时:
Maxim DS1225AB-200+, 64kbit SRAM 内存芯片, 8K x 8 位, 4.75 → 5.25 V, 28针 EDIP封装
立创商城:
64Kbit 4.75V~5.25V
贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, 200 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AB-200+ NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 200 ns
Win Source:
IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
针脚数 28
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 8000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.37 mm
宽度 18.29 mm
高度 10.67 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1225AB-200+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1225AB-200 美信 | 完全替代 | DS1225AB-200+和DS1225AB-200的区别 |
DS1225AD-200+ 美信 | 类似代替 | DS1225AB-200+和DS1225AD-200+的区别 |
DS1225AB-85+ 美信 | 类似代替 | DS1225AB-200+和DS1225AB-85+的区别 |