MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-100+ 芯片, 存储器, NVRAM
NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 32-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
立创商城:
4Mbit 4.5V~5.5V
贸泽:
NVRAM 4096K NV SRAM
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 100 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1250Y-100+ NVRAM, SRAM, 4 Mbit, 512K x 8bit, 100 ns
DeviceMart:
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32DIP
Win Source:
IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 32
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 500000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1250Y-100+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1250Y-100 美信 | 完全替代 | DS1250Y-100+和DS1250Y-100的区别 |
DS1250Y-70+ 美信 | 类似代替 | DS1250Y-100+和DS1250Y-70+的区别 |
DS1250AB-100IND+ 美信 | 类似代替 | DS1250Y-100+和DS1250AB-100IND+的区别 |