MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM,
### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
立创商城:
DS1225AD 200+
欧时:
Maxim DS1225AD-200+, 64kbit SRAM 内存, 8K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 28针 EDIP封装
贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, 200 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
TME:
Memory; NV SRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28
Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-200+ NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8bit, 200 ns
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作电压 4.5V ~ 5.5V
供电电流 75 mA
针脚数 28
时钟频率 200 GHz
存取时间 200 ns
内存容量 8000 B
存取时间Max 200 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.37 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.35 mm
封装 EDIP-28
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
DS1225AD-200+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1225AD-200 美信 | 完全替代 | DS1225AD-200+和DS1225AD-200的区别 |
DS1225AB-200+ 美信 | 类似代替 | DS1225AD-200+和DS1225AB-200+的区别 |
DS1225AD-200IND+ 美信 | 类似代替 | DS1225AD-200+和DS1225AD-200IND+的区别 |