MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245W-100+ 芯片, 存储器, SRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb（128K x 8） 并联 32-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8位, 100 ns, EDIP
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 32-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 32-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245W-100+ NVRAM, SRAM, 1 MB, 128K x 8bit, 100 ns, EDIP
DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32DIP
Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
针脚数 32
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 1000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1245W-100+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245W-100IND+ 美信 | 完全替代 | DS1245W-100+和DS1245W-100IND+的区别 |
DS1245W-100 美信 | 完全替代 | DS1245W-100+和DS1245W-100的区别 |
DS1245W-100IND 美信 | 完全替代 | DS1245W-100+和DS1245W-100IND的区别 |