DS1270Y-70#参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1270Y-70#概述

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

立创商城:
DS1270Y 70

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16M-Bit 5V 36-Pin EDIP

Win Source:
IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36EDIP

DS1270Y-70#中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 5 V

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 16000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

DS1270Y-70#引脚图与封装图

在线购买DS1270Y-70#

型号： DS1270Y-70#

描述：IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

替代型号DS1270Y-70#