DS1245AB-100+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1245AB-100+概述

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-100+ 芯片, 存储器, NVRAM

静态 RAM，

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

欧时:
Maxim DS1245AB-100+, 1024kbit SRAM 内存芯片, 128K x 8 位, 4.75 → 5.25 V, 32针 EDIP封装

e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 100 ns, EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32DIP

Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 100NS 32EDIP

DS1245AB-100+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

针脚数 32

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 125000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 EDIP-32

外形尺寸

长度 44.2 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.92 mm

封装 EDIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1245AB-100+引脚图与封装图

在线购买DS1245AB-100+

型号： DS1245AB-100+

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-100+ 芯片, 存储器, NVRAM

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替代型号DS1245AB-100+

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1245AB-100+ Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
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