MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-120IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb（128K x 8） 并联 32-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
立创商城:
DS1245Y 120IND+
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 120 ns, EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-120IND+ NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 120 ns
DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 32
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 125000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
宽度 18.8 mm
封装 DIP-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1245Y-120IND+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245Y-120 美信 | 完全替代 | DS1245Y-120IND+和DS1245Y-120的区别 |
DS1245Y-120IND 美信 | 完全替代 | DS1245Y-120IND+和DS1245Y-120IND的区别 |
DS1245Y-70IND+ 美信 | 类似代替 | DS1245Y-120IND+和DS1245Y-70IND+的区别 |