DTC114TM3T5G

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DTC114TM3T5G概述

ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

单电阻器数字,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723


立创商城:
NPN Bipolar Digital Transistor BRT


欧时:
### 单电阻器数字晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN


艾睿:
In contrast to traditional transistors, ON Semiconductor&s;s NPN DTC114TM3T5G digital transistor&s;s can be used in a wide variety of digital signal processing circuits. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 160@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 600 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
DTC114TM3T5G NPN Digi Transistor, 100mA 50V 10 kOhm, Ratio Of None, 3-Pin SOT-723


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-723 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  DTC114TM3T5G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, SOT-723


Win Source:
Digital Transistors BRT NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network


DTC114TM3T5G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 260 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

长度 1.25 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买DTC114TM3T5G
型号: DTC114TM3T5G
描述:ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
替代型号DTC114TM3T5G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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