DTA114EUAT106

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DTA114EUAT106概述

ROHM  DTA114EUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 50 V 50 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 UMT3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


立创商城:
1个PNP-预偏置 100mA 50V


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 50MA SOT-323


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R


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Trans Digital BJT PNP 100mA 3-Pin UMT T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R


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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R


儒卓力:
**PNP DIGITALTRANS.10K/10K UMT3 **


DeviceMart:
TRAN DIGITL PNP 50V 50MA SOT-323


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3


DTA114EUAT106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -50.0 mA

额定功率 0.2 W

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DTA114EUAT106引脚图与封装图
DTA114EUAT106引脚图
DTA114EUAT106封装图
DTA114EUAT106封装焊盘图
在线购买DTA114EUAT106
型号: DTA114EUAT106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  DTA114EUAT106  单晶体管 双极, PNP, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
替代型号DTA114EUAT106
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DTA114EUAT106

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

DTA114EKAT146

罗姆半导体

完全替代

DTA114EUAT106和DTA114EKAT146的区别

DTA114EUAFRAT106

罗姆半导体

完全替代

DTA114EUAT106和DTA114EUAFRAT106的区别

DTA114EU3T106

罗姆半导体

完全替代

DTA114EUAT106和DTA114EU3T106的区别

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