ON SEMICONDUCTOR DTC114EET1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-416
双电阻器数字 NPN ，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### 数字晶体管，On Semiconductor
配备电阻器的也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 200 mW
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 ≥300 mV
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 35
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
长度 1.65 mm
宽度 0.9 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DTC114EET1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DTC114EET1 安森美 | 类似代替 | DTC114EET1G和DTC114EET1的区别 |
DTC114EETL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTC114EET1G和DTC114EETL的区别 |
FJV3102RMTF 飞兆/仙童 | 功能相似 | DTC114EET1G和FJV3102RMTF的区别 |