MICROCHIP DN2540N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 400 V, 17 ohm, 0 V
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET
的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
### 特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
### 典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
额定功率 1 W
针脚数 3
漏源极电阻 17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 0.12A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bag
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DN2540N3-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
DN2540N3-G-P003 微芯 | 类似代替 | DN2540N3-G和DN2540N3-G-P003的区别 |
DN2540N3 微芯 | 类似代替 | DN2540N3-G和DN2540N3的区别 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | DN2540N3-G和BSS123-7-F的区别 |