DG2012DL-T1

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DG2012DL-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 mW

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买DG2012DL-T1
型号: DG2012DL-T1
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:低电压单SPDT模拟开关 Low-Voltage Single SPDT Analog Switch

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