DS1220AB-100IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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DS1220AB-100IND+图片3

DS1220AB-100IND+概述

IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 16Kb（2K x 8）并联 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

立创商城:
16Kbit 4.75V~5.25V

贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220AB-100IND+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DS1220AB-100IND+引脚图与封装图

DS1220AB-100IND+引脚图

DS1220AB-100IND+封装图

DS1220AB-100IND+封装焊盘图

在线购买DS1220AB-100IND+

型号： DS1220AB-100IND+

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 16Kbit 100NS 24DIP

替代型号DS1220AB-100IND+

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1220AB-100IND+ Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1220AB-100 美信	类似代替	DS1220AB-100IND+和DS1220AB-100的区别
DS1220AB-100IND 美信	类似代替	DS1220AB-100IND+和DS1220AB-100IND的区别
DS1220AD-100IND+ 美信	功能相似	DS1220AB-100IND+和DS1220AD-100IND+的区别