DS1220AD-200IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AD-200IND+概述

RAM，Maxim Integrated

静态 RAM，

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

欧时:
DS1220AD-200IND+, SRAM

贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-200IND+ NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 200 ns

DS1220AD-200IND+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

针脚数 24

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 EDIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.29 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DS1220AD-200IND+引脚图与封装图

在线购买DS1220AD-200IND+

型号： DS1220AD-200IND+

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：RAM，Maxim Integrated

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替代型号DS1220AD-200IND+

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1220AD-200IND+ Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1220AD-200 美信	完全替代	DS1220AD-200IND+和DS1220AD-200的区别
DS1220AD-200IND 美信	完全替代	DS1220AD-200IND+和DS1220AD-200IND的区别
DS1220AB-200+ 美信	类似代替	DS1220AD-200IND+和DS1220AB-200+的区别