DS1220AB-150IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AB-150IND+概述

Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.72INCH, PLASTIC, EXTENDED MODULE, DIP-24

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 150ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220AB-150IND+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 150 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DS1220AB-150IND+引脚图与封装图

在线购买DS1220AB-150IND+

型号： DS1220AB-150IND+

描述：Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.72INCH, PLASTIC, EXTENDED MODULE, DIP-24

替代型号DS1220AB-150IND+