DS1220AB-200IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AB-200IND+概述

Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

立创商城:
16Kbit 4.75V~5.25V

贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP

DS1220AB-200IND+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 200 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.67 mm

封装 EDIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

DS1220AB-200IND+引脚图与封装图

在线购买DS1220AB-200IND+

型号： DS1220AB-200IND+

描述：Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24

替代型号DS1220AB-200IND+