DS1225AB-200IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1225AB-200IND+概述

非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 200ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

立创商城:
64Kbit 4.75V~5.25V

贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM

e络盟:
非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

DS1225AB-200IND+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

针脚数 28

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 64000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AB-200IND+引脚图与封装图

在线购买DS1225AB-200IND+

型号： DS1225AB-200IND+

描述：非易失性SRAM NVSRAM, 64Kbit, 8K x 8位, 200ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28

替代型号DS1225AB-200IND+