RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
非易失 RAM，
### 非易失 RAM NVRAM
NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
欧时:
### 非易失 RAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。
立创商城:
DS1220AD 100+
安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 16000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP-24
长度 34.04 mm
宽度 18.29 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-24
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1220AD-100+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1220AD-100 美信 | 完全替代 | DS1220AD-100+和DS1220AD-100的区别 |
DS1220AD-200 美信 | 类似代替 | DS1220AD-100+和DS1220AD-200的区别 |
DS1220AD-150 美信 | 类似代替 | DS1220AD-100+和DS1220AD-150的区别 |