DS1225Y-150IND+

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DS1225Y-150IND+概述

IC SRAM NV 64K 10% 150NS 28-DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 150ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP


贸泽:
NVRAM 64K Nonvolatile SRAM


Win Source:
IC SRAM NV 64K 10% 150NS 28-DIP


DS1225Y-150IND+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 150 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1225Y-150IND+引脚图与封装图
DS1225Y-150IND+引脚图
DS1225Y-150IND+封装图
DS1225Y-150IND+封装焊盘图
在线购买DS1225Y-150IND+
型号: DS1225Y-150IND+
描述:IC SRAM NV 64K 10% 150NS 28-DIP
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型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1225Y-150IND+

Maxim Integrated 美信

当前型号

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DS1225AD-150IND+

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DS1225Y-150IND+和DS1225AD-150IND+的区别

DS1225Y-150+

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DS1225AD-150

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