MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-100IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
静态 RAM，
### SRAM（静态随机存取存储器）
得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
欧时:
Maxim DS1220AD-100IND+, 16kbit SRAM 内存芯片, 2K x 8 位, 4.5 → 5.5 V, 24针 EDIP封装
e络盟:
非易失随机存储器 NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8位, 100 ns, EDIP
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP
Newark:
# MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1220AD-100IND+ NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, 100 ns
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
针脚数 24
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 2000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP-24
长度 38.1 mm
宽度 18.29 mm
高度 10.67 mm
封装 DIP-24
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 Embedded Design & Development
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1220AD-100IND+ Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1220Y-100IND+ 美信 | 完全替代 | DS1220AD-100IND+和DS1220Y-100IND+的区别 |
DS1220AD-100IND 美信 | 完全替代 | DS1220AD-100IND+和DS1220AD-100IND的区别 |
DS1220AB-100+ 美信 | 类似代替 | DS1220AD-100IND+和DS1220AB-100+的区别 |