DS1250AB-70IND+

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DS1250AB-70IND+概述

IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 70 ns 32-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP


Win Source:
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP


DS1250AB-70IND+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1250AB-70IND+引脚图与封装图
DS1250AB-70IND+引脚图
DS1250AB-70IND+封装图
DS1250AB-70IND+封装焊盘图
在线购买DS1250AB-70IND+
型号: DS1250AB-70IND+
描述:IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIP
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DS1250AB-70IND+

Maxim Integrated 美信

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DS1250AB-70IND+和DS1250AB-70+的区别

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DS1250AB-70IND+和DS1250AB-70的区别

DS1250AB-70IND

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